Quelque chose à espérer: Samsung se prépare maintenant à commencer la production de masse de sa prochaine mémoire V-NAND de 8e génération, qui devrait être trouvée sur les futurs SSD, y compris les prochains disques compatibles PCIe 5.0. Ces nouvelles améliorations du stockage flash NAND pourraient entraîner des gains massifs en termes de stockage potentiel et de vitesses de transfert pour les utilisateurs.

Samsung est récemment entré dans la phase de préparation pour commencer à travailler à la production de masse de ses modules de mémoire V-NAND de 8e génération. Ces modules devraient avoir 236 couches, ce qui permettra à Samsung de presser plus de puissance et de données dans les modules V-NAND déjà minuscules.

Les modules V-NAND de 7e génération de Samsung, qui ont été lancés l’année dernière, comportaient 176 couches et prenaient en charge des vitesses allant jusqu’à 2,0 GT/s, et il est juste de s’attendre à ce que ces vitesses augmentent avec l’introduction de la V-NAND de 8e génération. Bien que ce soit évidemment une grande nouvelle pour les ordinateurs de bureau et les ordinateurs portables, cela vaut également pour les smartphones, car ces appareils commencent maintenant à prendre en charge les protocoles UFS 3.1 et, plus récemment, UFS 4.0, permettant des vitesses de stockage flash encore plus rapides.

Construire des modules 3D-NAND avec ces nombreuses couches n’est pas une tâche facile ; Alors que Samsung était en avance sur la concurrence avec la sortie de la V-NAND de première génération en 2013, ils sont devenus nettement plus prudents et prudents en ce qui concerne la production de modules. Pour cette raison, ils ont été battus à la barre des 200 couches par Micron et SK Hynix lorsqu’ils ont sorti leurs modules à 232 couches et 238 couches, respectivement. Samsung, cependant, a produit des échantillons de mémoire V-NAND avec plus de 200 couches l’année dernière, ils devraient donc avoir des connaissances préalables pour le faire fonctionner.

Une nouvelle génération de V-NAND devrait se traduire par des augmentations notables des performances et de la capacité.

Une nouvelle génération de V-NAND devrait se traduire par des augmentations notables des performances et de la capacité. Bien que nous n’ayons pas encore de chiffres spécifiques pour les modules de 8e génération de Samsung, l’un des concurrents précédents, Micron, a fourni des données concernant leur NAND à plus de 200 couches.

Micron affirme que sa NAND à 232 couches peut prendre en charge jusqu’à 2 To par module, ainsi que des vitesses allant jusqu’à 11,68 Go/s en lecture et 10 Go/s en écriture, le tout sur une seule puce de moins de la taille d’un timbre-poste. Il existe également quelques améliorations de la latence de lecture globale, ce qui devrait également améliorer les vitesses de transfert pour les utilisateurs.

L’augmentation des données potentielles sur un module NAND signifie que nous pourrions nous attendre à voir des SSD beaucoup plus grands atteindre les consommateurs dans un avenir proche, à ces vitesses fulgurantes de plus de 10 Go/s.

Tout cela accompagne le lancement imminent des processeurs Ryzen 7000 et Intel Raptor Lake, car ils pourront prendre en charge ces vitesses de transfert de plus de 10 Go/s. Dans quelques mois, les utilisateurs devraient pouvoir se procurer un nouveau SSD Samsung PCIe 5.0 avec leur nouveau processeur et leur nouvelle carte mère ; cela pourrait être une période très excitante pour les fans de technologie et les passionnés.