Dans le contexte: En mai dernier, le président américain Joe Biden a visité le campus de Samsung à Pyeongtaek et a découvert une usine à la pointe de la technologie qui fonctionnera sur un nœud de processus de 3 nm. Les initiés de l’industrie s’attendent à ce que le géant coréen annonce le début de la fabrication en série dans les prochains jours, battant son rival TSMC dans sa quête pour produire les puces les plus avancées au monde à ce jour.

Samsung a de grandes ambitions pour son bras semi-conducteur et c’est un élément clé de son plan de 205 milliards de dollars pour conquérir la fabrication de puces, la robotique, l’intelligence artificielle et la biopharmacie. Pas moins de la moitié de ces fonds iront à des usines de puces avancées et à la recherche et au développement de nouveaux nœuds de processus et de nouveaux transistors.

Cependant, le géant coréen de la technologie a eu beaucoup de problèmes de rendement en passant à des nœuds de processus plus petits qui ont affecté certains de ses plus gros clients tels que Qualcomm, qui envisage maintenant TSMC pour les futures puces mobiles. Nvidia opte pour TSMC pour ses produits de nouvelle génération après avoir traité des problèmes de rendement et une efficacité énergétique relativement faible avec les GPU Ampere, qui sont construits sur le nœud de processus 8 nm de Samsung.

Avec un Intel rajeuni dirigé par Pat Gelsinger, la concurrence s’intensifie dans le domaine de la fabrication de semi-conducteurs. Samsung doit battre les autres dans la course à la fabrication commerciale en 3 nm, sinon il ne pourra pas attirer de gros clients comme Nvidia, AMD, Apple et autres. TSMC indique qu’il commencera à accélérer la fabrication en volume sur un processus de 3 nm dans les mois à venir, de sorte que la fenêtre d’opportunité est plutôt petite.

Samsung le sait et s’est efforcé de rattraper le calendrier de TSMC. Mais alors que la société prévoyait de commencer la production de puces 3 nm d’ici la fin de ce mois, ce calendrier était peut-être un peu trop optimiste. En avril, les dirigeants de Samsung Foundry ont déclaré aux investisseurs que la fabrication commerciale commencerait dans quelques semaines, mais nous n’avons pas encore vu de mise à jour officielle à ce sujet.

Les rapports des médias locaux en Corée du Sud révèlent que Samsung se prépare à annoncer le début de la fabrication en volume de 3 nm, peut-être dès cette semaine. Ce serait une grande démonstration de force contre son rival TSMC, et cela signifierait également que la société coréenne sera la première à utiliser des transistors à effet de champ gate-all-around (GAAFET).

Samsung appelle sa mise en œuvre de transistors GAAFET 3 nm transistors à effet de champ multi-ponts, mais ce n’est qu’un nom technique pour les transistors qui nécessitent 50 % moins d’énergie, occupent 45 % moins d’espace et peuvent fonctionner de manière plus stable à des tensions très basses. .

La rumeur murmure que Samsung a également obtenu ses premiers clients pour le nouveau nœud de processus, il sera donc intéressant de voir si l’entreprise est capable d’éviter une répétition de ses erreurs de 8 nm et 4 nm. Quoi qu’il en soit, l’activité de fonderie contribue fortement au résultat net de Samsung, avec plus de la moitié de son bénéfice d’exploitation – quelque 6,7 milliards de dollars et plus – provenant de la division des puces.