Qu’est-ce qui vient de se passer? Une société californienne lance ce qu’elle appelle une solution révolutionnaire pour augmenter la densité des puces DRAM grâce à la technologie d’empilement 3D. Les nouvelles puces de mémoire amélioreront considérablement la capacité de la DRAM tout en nécessitant des efforts de fabrication à faible coût et nécessitant peu de maintenance.

Selon NEO Semiconductor, la X-DRAM 3D est la première technologie de type NAND 3D au monde pour la mémoire DRAM, une solution développée pour résoudre le goulot d’étranglement de la capacité de la DRAM tout en remplaçant « l’ensemble du marché de la DRAM 2D ». La société déclare que sa solution est meilleure que les produits concurrents, car elle est beaucoup plus pratique que les autres options sur le marché aujourd’hui.

La X-DRAM 3D utilise une structure de matrice de cellules DRAM de type NAND 3D basée sur la technologie de cellule à corps flottant sans condensateur, NEO Semiconductor explique. Les puces X-DRAM 3D peuvent être fabriquées avec les mêmes méthodes actuellement utilisées pour les puces NAND 3D, car elles n’ont besoin que d’un seul masque pour définir les trous de la ligne de bits et former la structure cellulaire à l’intérieur des trous.

Cette structure de cellule simplifie le nombre d’étapes du processus, fournissant une « solution à haute vitesse, haute densité, faible coût et à haut rendement » pour la fabrication de mémoire système 3D. NEO Semiconductor estime que sa nouvelle technologie 3D X-DRAM peut atteindre une densité de 128 Go avec 230 couches, 8 fois plus grande que la densité DRAM actuelle.

Neo a déclaré qu’un effort à l’échelle de l’industrie est en cours pour apporter des solutions d’empilement 3D au marché de la DRAM. Avec la X-DRAM 3D, les fabricants de puces peuvent tirer parti du processus NAND 3D « mature » actuel sans avoir besoin de processus plus exotiques proposés par des articles universitaires et des chercheurs de l’industrie de la mémoire.

La solution 3D X-DRAM évitera apparemment des retards de plusieurs décennies pour l’adoption de la technologie de type NAND 3D par les fabricants de DRAM, tandis que la prochaine vague d ‘ »applications d’intelligence artificielle » telles que l’algorithme chatbot omniprésent ChatGPT entraînera l’augmentation de la demande de systèmes de mémoire haute performance et haute capacité.

Andy Hsu, fondateur et PDG de NEO Semiconductor et « inventeur technologique accompli » avec plus de 120 brevets américains, a déclaré que la X-DRAM 3D est clairement la solution leader sur le marché croissant de la DRAM 3D. C’est une solution très simple et bon marché à fabriquer et à mettre à l’échelle, et cela pourrait être un boom, en particulier sur le marché des serveurs avec sa demande pressante de modules DIMM haute densité.

Les demandes de brevet pertinentes concernant la X-DRAM 3D ont été publiées avec la publication de la demande de brevet des États-Unis le 6 avril 2023, a déclaré NEO Semiconductor. La société s’attend à ce que la technologie continue de se développer et de s’améliorer, avec une augmentation linéaire des densités de 128 Go à 1 To au milieu des années 2030.