Séoul, Corée du Sud–(FIL D’AFFAIRES) – Samsung Electronics Co., Ltd., le leader mondial de la technologie de mémoire avancée, a annoncé aujourd’hui que sa deuxième ligne de production à Pyeongtaek, en Corée, avait commencé la production en série de la première DRAM mobile LPDDR5 de 16 gigabits (Gb) de l’industrie, utilisant technologie ultraviolette extrême (EUV). Construit sur le processus de troisième génération de classe 10 nm (1z) de Samsung, le nouveau LPDDR5 16 Go offre les performances de mémoire mobile les plus élevées et la plus grande capacité pour permettre à davantage de consommateurs de profiter de tous les avantages des fonctionnalités 5G et AI dans les smartphones de nouvelle génération.
«Le LPDDR5 16 Go basé sur 1z élève l’industrie à un nouveau seuil, surmontant un obstacle majeur au développement de la mise à l’échelle DRAM aux nœuds avancés», a déclaré Jung-bae Lee, vice-président exécutif des produits et technologies DRAM chez Samsung Electronics. « Nous continuerons d’élargir notre gamme de DRAM haut de gamme et de dépasser les demandes des clients, alors que nous sommes en tête de la croissance du marché global de la mémoire. »
Extension de la capacité de fabrication dans le complexe de Pyeongtaek
Couvrant plus de 128 900 mètres carrés (plus de 1,3 million de pieds carrés), soit l’équivalent d’environ 16 terrains de football, la Pyeongtaek Line 2 de Samsung est la plus grande chaîne de production de semi-conducteurs à ce jour.
La nouvelle ligne Pyeongtaek servira de centre de fabrication clé pour les technologies de semi-conducteurs les plus avancées de l’industrie, offrant une DRAM de pointe suivie de solutions V-NAND et de fonderie de nouvelle génération, tout en renforçant le leadership de l’entreprise à l’ère de l’Industrie 4.0.
Mémoire mobile la plus rapide et la plus grande capacité
Basé sur le nœud de processus le plus avancé (1z) d’aujourd’hui, le nouveau LPDDR5 16 Go de Samsung est la première mémoire à être produite en série à l’aide de la technologie EUV, offrant la vitesse la plus élevée et la plus grande capacité disponible en DRAM mobile.
À 6400 mégabits par seconde (Mb / s), le nouveau LPDDR5 est environ 16% plus rapide que le LPDDR5 12 Go (5500 Mo / s) que l’on trouve dans la plupart des appareils mobiles phares d’aujourd’hui. Lorsqu’il est transformé en un package de 16 Go, le LPDDR5 peut transférer environ 10 films Full HD de 5 Go, ou 51,2 Go de données, en une seconde.
Grâce à son utilisation du premier processus commercial 1z, le boîtier LPDDR5 est 30% plus fin que son prédécesseur, ce qui permet aux smartphones 5G et multi-caméras ainsi qu’aux appareils pliables d’intégrer plus de fonctionnalités dans un design mince. Le LPDDR5 de 16 Go peut créer un boîtier de 16 Go avec seulement huit puces, tandis que son prédécesseur basé sur 1 an nécessite 12 puces (huit puces de 12 Go et quatre puces de 8 Go) pour fournir la même capacité.
En fournissant le premier package LPDDR5 de 16 Go basé sur 1z aux fabricants mondiaux de smartphones, Samsung prévoit de renforcer encore sa présence sur le marché phare des appareils mobiles tout au long de 2021. Samsung étendra également l’utilisation de ses offres LPDDR5 dans les applications automobiles, offrant une plage de températures étendue pour répondre à des normes strictes de sécurité et de fiabilité dans des environnements extrêmes.
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