SEOUL, Corée, 11 mai 2021 – Samsung Electronics Co., Ltd., un leader de la technologie de mémoire avancée, a dévoilé aujourd’hui un module de mémoire prenant en charge la nouvelle norme d’interconnexion Compute Express Link (CXL). Intégré à la technologie Double Data Rate 5 (DDR5) de Samsung, ce module basé sur CXL permettra aux systèmes serveurs d’augmenter considérablement la capacité de mémoire et la bande passante, accélérant ainsi les charges de travail d’intelligence artificielle (IA) et de calcul haute performance (HPC) dans les centres de données.
La montée en puissance de l’IA et du big data a alimenté la tendance à l’informatique hétérogène, où plusieurs processeurs travaillent en parallèle pour traiter d’énormes volumes de données. CXL – une interconnexion ouverte et prise en charge par l’industrie basée sur l’interface PCI Express (PCIe) 5.0 – permet une communication à haute vitesse et à faible latence entre le processeur hôte et les périphériques tels que les accélérateurs, les tampons mémoire et les périphériques d’E / S intelligents, tout en augmentant la mémoire capacité et bande passante bien au-delà de ce qui est possible aujourd’hui. Samsung collabore avec plusieurs fabricants de centres de données, de serveurs et de chipsets pour développer une technologie d’interface de nouvelle génération depuis la création du consortium CXL en 2019.
«Il s’agit de la première solution de mémoire DRAM du secteur qui s’exécute sur l’interface CXL, qui jouera un rôle essentiel dans la fourniture d’applications gourmandes en données, y compris l’IA et l’apprentissage automatique dans les centres de données ainsi que dans les environnements cloud», a déclaré Cheolmin Park, vice-président. président de l’équipe de planification des produits de mémoire chez Samsung Electronics. «Samsung continuera à élever la barre avec l’innovation de l’interface mémoire et la mise à l’échelle de la capacité pour aider nos clients, et le secteur dans son ensemble, à mieux gérer les demandes de charges de travail en temps réel plus importantes, plus complexes et essentielles à l’IA et aux centres de données. de demain. »
Dr. Debendra Das Sharma, Intel Fellow et directeur de la technologie et des normes d’E / S chez Intel, a déclaré: «L’architecture du centre de données évolue rapidement pour prendre en charge la demande et les charges de travail croissantes pour l’IA et le ML, et la mémoire CXL devrait étendre l’utilisation de mémoire à un nouveau niveau. Nous continuons à travailler avec des entreprises du secteur telles que Samsung pour développer un écosystème de mémoire robuste autour de CXL. »
Contrairement à la mémoire DDR conventionnelle, qui a des canaux de mémoire limités, le module DDR5 compatible CXL de Samsung peut faire évoluer la capacité de la mémoire au niveau du téraoctet, tout en réduisant considérablement la latence du système causée par la mise en cache de la mémoire.
En plus de l’innovation matérielle CXL, Samsung a incorporé plusieurs technologies de contrôleur et de logiciel telles que le mappage de la mémoire, la conversion d’interface et la gestion des erreurs, qui permettront aux processeurs ou aux GPU de reconnaître la mémoire basée sur CXL et de l’utiliser comme mémoire principale.
Le nouveau module de Samsung a été validé avec succès sur les plates-formes de serveurs de nouvelle génération d’Intel, marquant le début d’une ère de mémoire CXL à bande passante élevée et à faible latence utilisant la dernière norme DDR5. Samsung travaille également avec des fournisseurs de centres de données et de cloud du monde entier pour mieux répondre au besoin d’une plus grande capacité de mémoire qui sera essentielle dans la gestion des applications Big Data, y compris les systèmes de base de données en mémoire.
Au fur et à mesure que le module de mémoire CXL basé sur DDR5 est commercialisé, Samsung a l’intention de devenir le leader du secteur en répondant à la demande de technologies de calcul haute performance de nouvelle génération qui reposent sur une capacité de mémoire et une bande passante étendues.
À propos de Samsung Electronics Co., Ltd.
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Source: Samsung Electronics Co., Ltd.
