Magnachip dévoile des mosfets MXT à canal super court pour les modules de circuit de protection de batterie de smartphone.

Magnachip Semiconductor Corporation (« Magnachip ») (NYSE : MX) a annoncé la sortie de deux transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur MXT (MOSFET)1 de septième génération, basés sur sa technologie Super-Short Channel, pour la batterie modules de circuit de protection dans les smartphones.

Super-Short Channel est la dernière technologie de conception de Magnachip pour raccourcir la longueur du canal entre la source et le drain afin de réduire considérablement R_{DS (activé)}² et les pertes de conduction pendant le fonctionnement à l’état passant. Magnachip applique d’abord cette technologie aux nouveaux MOSFET 12V (MDWC12D028ERH) et MOSFET 24V (MDWC24D031ERH).

Grâce à la technologie Super-Short Channel, les tailles de ces nouveaux MOSFET ont été réduites de 20%, tandis que le R_{DS (activé)} de MDWC12D028ERH et MDWC24D031ERH est abaissé de 40 % et 24 %, respectivement, par rapport aux versions précédentes. Grâce à ces fonctionnalités améliorées du produit, la perte de puissance est réduite lorsqu’une batterie est en charge ou en décharge et une température de fonctionnement basse peut être maintenue pour une charge rapide de la batterie.

Magnachip prévoit de lancer des MOSFET MXT à canal super court de taille compacte avec une grande efficacité énergétique pour les petites batteries d’appareils portables, tels que les montres intelligentes et les écouteurs, au cours du second semestre 2023.

YJ Kim, PDG de Magnachip, a déclaré :

La nouvelle technologie Super-Short Channel a fait passer les performances des MOSFET MXT à un niveau supérieur.

« Magnachip poursuivra ses efforts pour faire progresser l’innovation technologique et fournir des solutions de gestion de l’alimentation haut de gamme répondant aux exigences diverses et changeantes des fabricants d’appareils mobiles. »

1 MOSFET MXT (Magnachip eXtreme Trench MOSFET) : portefeuille de produits de pointe de Magnachip en matière de MOSFET à tranchée, y compris des MOSFET basse et moyenne tension (12 V à 200 V)
2 RDS(on): On resistance, la valeur de résistance entre le drain et la source des MOSFET pendant le fonctionnement à l’état passant

À propos de Magnachip Semiconductor

Magnachip est un concepteur et fabricant de solutions de plate-forme de semi-conducteurs analogiques et à signaux mixtes pour les communications, l’IdO, les applications grand public, informatiques, industrielles et automobiles. La société propose une large gamme de produits standard à des clients du monde entier.

Magnachip, avec plus de 40 ans d’histoire d’exploitation, possède un portefeuille d’environ 1 100 brevets déposés et demandes en attente, et possède une vaste expertise en matière d’ingénierie, de conception et de processus de fabrication. Pour plus d’informations, s’il vous plaît visitez www.magnachip.com. Les informations sur ou accessibles via le site Web de Magnachip ne font pas partie de, et ne sont pas incorporées dans, ce communiqué.

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Magnachip dévoile des MOSFET MXT à canal super court pour les modules de circuit de protection de batterie de smartphone, SÉOUL, Corée du Sud, 2 mars 2023