Samsung Electronics a développé la première DRAM de 128 Go de l’industrie pour prendre en charge Compute Express Link (CXL) 2.0, a déclaré vendredi le géant technologique sud-coréen, ajoutant que la production de masse de DRAM CXL 2.0 commencera plus tard cette année.

La nouvelle DRAM CXL prend en charge l’interface PCle 5.0 (x8 voies) et offre une bande passante allant jusqu’à 35 Go par seconde. Il devrait accélérer la commercialisation des solutions de mémoire de nouvelle génération.

Samsung a déclaré avoir travaillé en étroite collaboration avec Intel sur cette avancée historique sur la plate-forme Xeon de ce dernier.

« En tant que membre du conseil d’administration du consortium CXL, Samsung Electronics reste à l’avant-garde de la technologie CXL. Ce développement révolutionnaire souligne notre engagement à étendre encore plus l’écosystème CXL grâce à des partenariats avec des sociétés de centres de données, de serveurs et de chipsets à travers l’industrie. a déclaré Jangseok Choi, vice-président de l’équipe de planification des nouvelles activités chez Samsung Electronics.

CXL 2.0 introduit une fonctionnalité révolutionnaire appelée pool de mémoire qui lie plusieurs blocs de mémoire CXL sur une plate-forme de serveur pour créer un pool. Cette technique innovante de gestion de la mémoire permet également aux hôtes d’allouer dynamiquement de la mémoire à partir du pool, ce qui se traduit par une efficacité accrue et des coûts d’exploitation réduits pour les clients. En tirant parti de cette nouvelle technologie, les clients peuvent réinvestir des ressources dans le renforcement de la mémoire de leur serveur.

Commentant ce développement, Jim Pappas, directeur des initiatives technologiques chez Intel Corporation, a déclaré : « Intel est ravi de travailler avec Samsung sur son investissement dans un écosystème CXL dynamique. Intel continuera de travailler avec Samsung pour favoriser la croissance et l’adoption d’innovations innovantes. produits CXL dans toute l’industrie. »