Samsung Electronics a annoncé le développement de la première mémoire Compute Express Link (CXL) 2.0 du secteur. Le géant sud-coréen des semi-conducteurs a travaillé en étroite collaboration avec Intel pour assurer la prise en charge de sa plateforme Xeon.
« Intel est ravi de travailler avec Samsung sur son investissement dans un écosystème CXL dynamique », a déclaré Jim Pappas, directeur des initiatives technologiques chez Société intel. « Intel continuera à travailler avec Samsung pour favoriser la croissance et l’adoption de produits CXL innovants dans l’industrie. »
Samsung ÉlectroniqueLe nouveau développement est un module DRAM CXL 2.0 de 128 Go avec prise en charge de l’interface PCIe 5.0 avec x8 voies. Cela équivaut à une bande passante totale de 35 Go/s, ce qui est plus lent que la mémoire système, mais CXL 2.0 prend en charge la commutation et la mise en commun de la mémoire, ce qui permet à plusieurs hôtes de se connecter et d’allouer dynamiquement de la mémoire à partir de la ressource partagée si nécessaire. Cela permet aux centres de données d’être beaucoup plus flexibles et efficaces avec les ressources de calcul.
CXL est un norme ouverte pour connecter divers types de mémoire au processeur et est principalement utilisé pour le calcul de centre de données haute performance. Il est basé sur PCIe 5.0 mais optimisé pour une communication à large bande passante et à faible latence dans des environnements informatiques hétérogènes. En plus de connecter d’énormes pools de mémoire, CXL améliore les performances grâce à la prise en charge de la hiérarchisation de la mémoire sur différents types de mémoire et reste cohérent avec la mémoire système d’un processeur hôte.
Commutation et regroupement de mémoire CXL 2.0 illustrés
Il existe trois principaux types de périphériques CXL, appelés de manière non descriptive Type 1, Type 2 et Type 3. Le Type 1 est utilisé pour les accélérateurs spécialisés qui n’ont pas leur propre mémoire, ils ont donc besoin d’un accès cohérent à la mémoire système du CPU via le Interface CXL. Le type 2 est destiné aux accélérateurs à usage général qui ont une mémoire locale mais permettent également d’accéder à la mémoire système du processeur, ou vice versa. Le type 3 est destiné à l’extension de mémoire et à la mémoire persistante, comme le module DRAM annoncé aujourd’hui ou les formes de stockage non volatile. « En tant que membre du conseil d’administration du consortium CXL, Samsung Electronics reste à la pointe de la technologie CXL », a déclaré Jangseok Choi, vice-président de l’équipe de planification des nouvelles activités chez Samsung Electronics. « Ce développement révolutionnaire souligne notre engagement à étendre encore plus l’écosystème CXL grâce à des partenariats avec des sociétés de centres de données, de serveurs et de chipsets à travers l’industrie. »
Samsung commencera la production de masse de la DRAM CXL 2.0 plus tard cette année et prévoit également d’étendre ses offres pour couvrir diverses capacités afin de répondre aux demandes des centres de données. Samsung travaillera avec Montage pour produire des contrôleurs compatibles CXL 2.0.
« Montage est ravi de produire en masse les premiers contrôleurs prenant en charge CXL 2.0 », a déclaré Stephen Tai, président de Technologie de montage. « Nous sommes impatients de poursuivre notre partenariat avec Samsung pour faire progresser la technologie CXL et étendre son écosystème. »
L’importance de CXL devrait augmenter parallèlement à la demande de intelligence artificielle (IA) et les charges de travail d’apprentissage automatique (ML) qui nécessitent des quantités massives de traitement de données à grande vitesse.