C’est là que la DRAM de classe 12 nm de Samsung entre en jeu. Samsung affirme qu’il exploite un nouveau matériau à haute teneur en K pour aider à augmenter la capacité des cellules, ce qui à son tour « entraîne une différence de potentiel électrique significative dans les signaux de données ». Cela facilite la distinction précise entre eux, explique Samsung.

Les effets secondaires les plus importants sont une réduction de la consommation d’énergie allant jusqu’à 23 % tout en améliorant simultanément la productivité des plaquettes jusqu’à 20 %. Cette dernière statistique signifie que Samsung peut extraire 20 % de puces DRAM supplémentaires de chaque tranche.

« Grâce à une technologie de processus différenciée, la mémoire DRAM DDR5 de classe 12 nm de Samsung offre des performances et une efficacité énergétique exceptionnelles », a déclaré Jooyoung Lee, vice-président exécutif des produits et technologies DRAM chez Samsung Electronics. « Notre dernière DRAM reflète notre engagement continu à dominer le marché de la DRAM, non seulement avec des produits hautes performances et haute capacité qui répondent à la demande du marché informatique pour un traitement à grande échelle, mais aussi en commercialisant des solutions de nouvelle génération qui prennent en charge une plus grande productivité.

En ce qui concerne les performances, les puces DRAM 12 nm de Samsung prennent en charge des vitesses allant jusqu’à 7,2 gigabits par seconde (Gbps). Ou, comme le dit Samsung, des vitesses capables de traiter une paire de films Ultra HD de 30 gigaoctets (Go) en une seconde environ.