Samsung Semiconductor a donné une conférence au KAIST (Korea Advanced Institute of Science & Technology) plus tôt dans la journée, où le président de la division Samsung Device Solutions, Kye Hyun Kyung, a présenté une vision d’un avenir où Samsung Semiconducteur va rattraper son rival taiwanais TSMC.

Le président a admis que la technologie de fonderie de Samsung « en retard sur TSMC. » Il a expliqué que la technologie 4 nm de Samsung a environ deux ans de retard sur TSMC et que son processus 3 nm a environ un an de retard sur son rival.

Cependant, le président a également expliqué que Samsung avait désormais un avantage et que la société pourrait dépasser TSMC. « Nous pouvons surpasser TSMC d’ici cinq ans. » (via Hankyung)

La poussée précoce de Samsung vers GAA pourrait combler l’écart

L’idée que Samsung pourrait surpasser TSMC dans les cinq prochaines années vient du fait que Samsung a l’intention d’utiliser la technologie Gate All Around (GAA) en commençant par son processus de fonderie 3 nm. En revanche, TSMC n’utilisera pas GAA avant d’atteindre la production de 2 nm, et Samsung pense que cela lui permettra de rattraper son rival taïwanais.

Le GAA est un procédé qui pourrait permettre à Samsung de produire des puces à la fois plus petites (45 %) et moins énergivores (50 %) que les puces basées sur les procédés actuellement utilisés par TSMC. Et selon le président, « La réponse des clients au processus GAA 3 nm de Samsung Electronics est bonne. »

Fait intéressant, Kye Hyun Kyung a également déclaré que Samsung s’attend à ce que les semi-conducteurs de mémoire deviennent plus importants dans le développement de serveurs IA et l’emportent sur les GPU NVIDIA. Selon le PDG, Samsung va « Assurez-vous que les supercalculateurs centrés sur les semi-conducteurs à mémoire puissent sortir d’ici 2028. »

D’autres rapports récents disent que Samsung a également amélioré son rendement de 4 nm au point où il google-higher-4nm-process-yield/ » target= »_blank » rel= »noopener »>conquis deux clients majeurs: AMD et Google. Le géant coréen de la technologie fabriquerait la puce Tensor 3 de Google sur son nœud de processus 4 nm de troisième génération. Le soi-disant SoC Exynos 2400 pourrait également être construit sur un processus avancé de 4 nm.