Samsung a annoncé jeudi avoir commencé la production en série de sa DRAM à double débit de données 5 (DDR5) fabriquée avec un nœud de processus de classe 12 nanomètres (nm). Le géant de la technologie a annoncé le développement du 16 Go de DRAM DDR5 en décembre de l’année dernière. Le début de la production en série de la DRAM 12 nm, qui en fait la plus avancée parmi les DRAM disponibles, à un moment où l’industrie des puces mémoire connaît un ralentissementmontre que Samsung, le plus grand fabricant de puces mémoire au monde, entend maintenir son leadership dans le secteur et plus encore. Selon Samsung, la nouvelle puce, par rapport à la génération précédente, a une consommation d’énergie réduite de 23 % tandis que la productivité de sa plaquette a augmenté de 20 %, ce qui signifie que 20 % de puces en plus peuvent être produites à partir d’une seule plaquette car la puce est plus petite que la génération précédente. Le géant de la technologie a déclaré que la consommation d’énergie réduite de la DRAM DDR5 de 16 Go permettra aux opérateurs de serveurs et de centres de données de réduire leur consommation d’énergie et leur empreinte carbone. La puce a également une vitesse maximale de 7,2 Gbps, ce qui signifie qu’elle peut traiter 60 Go en une seconde environ, et est destinée aux centres de données, à l’IA et aux nouvelles applications informatiques. Le nœud 12 nm a été réalisé grâce à l’utilisation par Samsung d’un nouveau matériau high-k qui permet à la puce de distinguer avec précision les différences dans les signaux de données. La compatibilité de la DRAM avec AMD a déjà été vérifiée en décembre et Samsung a déclaré qu’il collaborait avec des sociétés informatiques plus mondiales à l’heure actuelle.
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