Le responsable de l’unité des semi-conducteurs de Samsung a reconnu la semaine dernière que la production de masse actuelle de l’entreprise et les technologies de traitement de pointe avaient quelques années de retard sur les nœuds de production les plus avancés de TSMC. Mais Samsung travaille dur pour rattraper son plus grand rival dans cinq ans.

« Pour être honnête, la technologie de fonderie de Samsung Electronics est à la traîne par rapport à TSMC », a déclaré le Dr Kye Hyun Kyung, responsable de la division Samsung Electronics Device Solutions, supervisant les opérations mondiales des unités commerciales Memory, System LSI et Foundry. au Korea Advanced Institute of Science & Technology (KAIST), rapporte Hankyung. « Nous pouvons surpasser TSMC d’ici cinq ans. »

Samsung a investi des dizaines de milliards de dollars dans sa division fonderie ces dernières années dans le but de rattraper TSMC et Intel, tant en termes de capacité de production de puces LSI que d’avantages technologiques. La société a considérablement réduit l’écart avec ses rivaux, mais elle n’est toujours pas tout à fait à la hauteur des technologies de fabrication de TSMC en termes de performances, de puissance, de surface (densité de transistor) et de mesures de coût.

Alors que Samsung Foundry est le premier sous-traitant de puces à adopter des transistors gate-all-around (GAA) avec son nœud SF3E (3GAE, 3 nm, gate-all-around early), et les clients de l’entreprise sont enthousiasmés par la technologie elle-même et la nouvelle architecture de transistor, ce processus n’est pas utilisé pour les propres systèmes sur puces de pointe de Samsung pour Smartphones.

« La réponse des clients au processus GAA 3 nm de Samsung Electronics est bonne », a déclaré le Dr Kye Hyun Kyung.

Pendant ce temps, la dernière série Galaxy S23 de Samsung utilise le SoC Snapdragon 8 Gen 2 de Qualcomm fabriqué par TSMC sur son processus de fabrication N4.

La technologie la plus avancée de Samsung Foundry qui peut être utilisée pour fabriquer des SoC hautement complexes pour les smartphones ou d’autres applications exigeantes est le SF4 (4LPP, 4 nm, basse consommation plus), qui, comme l’admet la société, est nettement derrière le N3 (N3B) de TSMC. node, selon les rumeurs, serait utilisé pour la production de masse des SoC hautement complexes d’apple à l’heure actuelle.

La société pourrait quelque peu combler l’écart avec les N3 et N4P de TSMC avec son SF4P (4LPP +) qui sera disponible pour les clients plus tard cette année, selon une clarification publiée par @Tech_Reve.

Samsung Foundry aura une meilleure chance de rattraper TSMC lorsque son nœud de fabrication SF3 (3GAP) entrera en production à haut volume en 2024, bien qu’à ce moment-là, TSMC proposera également sa technologie de fabrication N3P plus avancée. À peu près au même moment, Samsung prévoit également de proposer SF4X (4HPC), une technologie de fabrication de classe 4 nm qui (comme son nom l’indique) traitera les CPU et GPU hautes performances.

Samsung croit censément cette transition vers les transistors GAA dans la période 2022 ~ 2023 est tout à fait logique car elle aura le temps de résoudre les problèmes de démarrage de la nouvelle architecture avant ses rivaux, notamment Intel et TSMC. En conséquence, lorsqu’ils commenceront à fabriquer des puces sur leurs technologies de classe 2 nm (20A, N2) en 2024-2025 et rencontreront peut-être les mêmes problèmes que Samsung résout aujourd’hui, son nœud SF2 sera en mesure d’offrir une meilleure combinaison de puissance. , performances, densité de transistors, coûts et rendements.

Source: Hankyung.com (via @Tech_Reve)