En ce qui concerne la fabrication de puces non mémoire, Samsung est à la traîne de Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) en termes de nœuds de processus de pointe et de rendements depuis un certain temps. Même ainsi, la société estime que lorsqu’il s’agit de déployer un processus de fabrication de semi-conducteurs de 2 nanomètres, elle rattrapera TSMC et même le dépassera.
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Le président de Samsung et directeur de l’activité de fonderie de l’entreprise, le Dr Siyoung Choi, a fait ces remarques lors d’un discours liminaire au Korea Advanced Institute of Science & Technology en Corée du Sud (via Wccftech) où il a mis un délai de cinq ans pour que Samsung rattrape TSMC.
Le Dr Siyoung Choi a noté que TSMC est actuellement en avance sur Samsung en matière de production de puces. Cependant, il cite l’utilisation par Samsung des technologies GAA pour la production actuelle de 3 nm comme une longueur d’avance sur TSMC, qui utilise toujours le FinFET éprouvé.
L’architecture de transistor Gate-All-Around (GAA) s’améliore par rapport au FinFET en améliorant l’efficacité énergétique et en améliorant les performances en augmentant les capacités de courant. Ce sont des choses techniques, mais un grand pas en avant pour la fabrication de semi-conducteurs.
Le Dr Siyoung Choi a ajouté que le processus 4 nm de Samsung avait actuellement deux ans de retard sur TSMC, avec son processus 3 nm seulement un an de retard. Et avec cela, en ce qui concerne le processus 2 nm, l’expérience des technologies GAA permettra d’uniformiser les règles du jeu et de surpasser TSMC, qui utilisera une technologie similaire pour la première fois en matière de production 2 nm.
La chronologie de Samsung et de TSMC pour ce genre de choses s’aligne. On s’attend probablement à ce que TSMC rencontre des problèmes que Samsung a potentiellement résolus avec son utilisation des technologies GAA pour la production en 3 nm. Samsung pense également que son avenir dans la fabrication de semi-conducteurs en fera un acteur majeur de l’intelligence artificielle.