Micron Technology a lancé sa DRAM 1-beta pour améliorer l’efficacité énergétique de 15 % et la densité de bits de 35 % pour les puces mémoire.

Cela signifie que le fabricant de puces mémoire basé à Boise, dans l’Idaho, est toujours l’un des leaders de l’industrie en matière de fabrication de puces semi-conductricesque beaucoup décrivent comme le pétrole de l’ère numérique.

Cette nouvelle technologie de fabrication de mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM, ou le type utilisé dans la plupart des appareils électroniques de grande valeur) sous-tendra une nouvelle génération de puces mémoire pour Micron, a déclaré Thy Tran, vice-président de l’intégration des processus DRAM chez Micron, dans un communiqué de presse. Compte rendu.

En 2021, environ 81 zettaoctets de données ont été créés, a-t-elle déclaré. Soit dit en passant, pour la perspective, c’est un gigabit de données créé chaque heure pour chaque personne sur terre. Et d’ici 2025, Micron s’attend à ce qu’il double à 180 octets de données, a déclaré Tran.

« Nous vivons dans un univers avide de données où les données font partie intégrante de pratiquement tous les aspects de notre vie », a déclaré Tran. « Et ces tendances ne semblent pas ralentir. Plus nous avons de données, plus nous voulons créer de mémoire et tirer plus de valeur de ces données. Et cela nous donne à son tour un besoin de plus en plus de mémoire.

Pour faire des voitures vraiment autonomes, Micron estime qu’il faudrait environ 30 fois plus de contenu DRAM et 100 fois plus de mémoire flash NAND, a déclaré Tran. C’est pourquoi la demande de mémoire est si insatiable.

Micron a déclaré qu’il expédiait des échantillons de qualification de sa technologie DRAM 1-bêta à certains fabricants de smartphones et partenaires de chipsets, et qu’il était prêt pour la production de masse avec le nœud de technologie DRAM le plus avancé au monde. Bien sûr, les journalistes techniques lors de l’appel à la presse ont noté qu’il est impossible de vérifier si les déclarations de Micron sont vraies, en termes de processus de puce le plus avancé, car il ne divulgue pas les dimensions exactes de ses puces qui pourraient être comparées à d’autres procédés de fabrication de puces.

La société lance sa prochaine génération de technologie de processus sur sa mémoire mobile à double débit de données 5X (LPDDR5X) à faible consommation, offrant des vitesses maximales de 8,5 gigabits (Gb) par seconde. Le nœud offre des gains significatifs en termes de performances, de densité de bits et d’efficacité énergétique qui auront des avantages considérables sur le marché. La société a déclaré que le nouveau nœud de fabrication fournit des puces avec une efficacité énergétique supérieure de 15 % et une densité de bits améliorée de 35 % par rapport à la génération précédente. Ce dernier signifie qu’il peut bloquer beaucoup plus d’électronique dans le même espace qu’une puce de la génération précédente.

Au-delà du mobile, le processus « 1β » fournit la DRAM à faible latence, basse consommation et hautes performances qui est essentielle pour prendre en charge des applications hautement réactives, des services en temps réel, la personnalisation et la contextualisation des expériences, des véhicules intelligents aux centres de données.

Micron a livré sa génération précédente, 1-alpha, en 2021. Cela suggère que la loi de Moore – la prédiction faite en 1965 par le président émérite d’Intel, Gordon Moore, selon laquelle le nombre de composants sur une puce doublerait tous les deux ans – tient toujours le coup . Au moins pour une autre génération.

« Le lancement de notre DRAM 1-bêta signale un autre bond en avant pour l’innovation en matière de mémoire, concrétisé par notre lithographie multi-motifs exclusive en combinaison avec une technologie de traitement de pointe et des capacités de matériaux avancés », a déclaré Scott DeBoer, vice-président exécutif de technologie et produits chez Micron, dans un communiqué. « En fournissant la technologie DRAM la plus avancée au monde avec plus de bits par tranche de mémoire que jamais auparavant, ce nœud jette les bases pour inaugurer une nouvelle génération de technologies riches en données, intelligentes et économes en énergie, de la périphérie au cloud. »

L’une des caractéristiques du nouveau procédé de fabrication de puces est que Micron n’a pas encore eu à recourir à la lithographie ultraviolette extrême (EUV) plus coûteuse pour fabriquer ses puces, a déclaré Tran.

Cette étape importante suit également rapidement la livraison par Micron des premières puces de mémoire flash (NAND) à 232 couches au monde en juillet, conçues pour améliorer les performances et la densité surfacique, ou plus de bits dans un espace donné, pour les périphériques de stockage.

Avec ces nouvelles premières, Micron continue de donner le ton au marché en matière d’innovations en matière de mémoire et de stockage, toutes deux rendues possibles par les racines profondes de l’entreprise dans la recherche et le développement (R&D) de pointe et la technologie des processus de fabrication, a déclaré Tran.

Avec l’échantillonnage de LPDDR5X, l’écosystème mobile sera le premier à récolter les bénéfices des gains significatifs de la DRAM 1β, ce qui débloquera l’innovation mobile de nouvelle génération et des expériences de smartphone avancées tout en consommant moins d’énergie. Cela signifie que vous devriez rechercher des smartphones plus puissants dans les mois à venir.

Avec la vitesse et la densité de 1β, les cas d’utilisation à bande passante élevée deviendront plus réactifs et plus fluides lors des téléchargements, des lancements et de l’utilisation simultanée d’applications 5G et d’intelligence artificielle (IA) gourmandes en données, a déclaré Micron.

De plus, le LPDDR5X basé sur 1β améliorera non seulement le lancement de l’appareil photo du smartphone, le mode nuit et le mode portrait avec rapidité et clarté, mais il permettra également un enregistrement vidéo 8K haute résolution sans tremblement et un montage vidéo intuitif dans le téléphone.

Les économies d’énergie sont également permises par la mise en œuvre de nouvelles techniques de noyau d’extensions de mise à l’échelle dynamique de la tension et de la fréquence améliorées JEDEC (eDVFSC) sur ce LPDDR5X basé sur 1β.

Micron défie les lois de la physique

Le premier nœud 1β de Micron permet une plus grande capacité de mémoire dans un encombrement réduit, ce qui permet de réduire le coût par bit de données. La mise à l’échelle de la DRAM a été largement définie par cette capacité à fournir plus de mémoire et plus rapidement par millimètre carré de surface de semi-conducteur, ce qui nécessite de rétrécir les circuits pour adapter des milliards de cellules de mémoire sur une puce de la taille d’un ongle.

Avec chaque nœud de processus, l’industrie des semi-conducteurs réduit les dispositifs chaque année ou deux depuis des décennies ; Cependant, à mesure que les puces sont devenues plus petites, la définition de modèles de circuits sur des tranches nécessite de défier les lois de la physique. Les couches de matériau entre les circuits ne sont plus épaisses que d’un certain nombre d’atomes.

Alors que l’industrie a commencé à se tourner vers un nouvel outil qui utilise la lumière ultraviolette extrême pour surmonter ces défis techniques, Micron a déclaré avoir puisé dans ses prouesses éprouvées en matière de nanofabrication et de lithographie pour contourner cette technologie encore émergente.

« Nous avons fait cela sans utiliser la lithographie basée sur l’EUV », a déclaré Tran. « En appliquant nos techniques de modelage qui sont la propriété de Micron, les techniques de modelage multiple, nous nous permettons de mettre en œuvre cette technologie sans avoir à déployer les outils les moins matures et les plus coûteux. »

Cela implique d’appliquer les techniques de multi-motifs avancées et exclusives de l’entreprise et les capacités d’immersion pour modeler ces minuscules caractéristiques avec la plus grande précision.

La plus grande capacité offerte par cette réduction permettra également aux appareils avec de petits facteurs de forme, tels que les smartphones et les appareils IoT, d’intégrer plus de mémoire dans des empreintes compactes.

Pour atteindre son avantage concurrentiel avec 1β et 1α, Micron a également fait progresser de manière agressive sa fabrication excellence, des capacités d’ingénierie et une R&D pionnière au cours des dernières années. Cette innovation accélérée a d’abord permis à Micron de monter en puissance sans précédent son nœud 1α avec un an d’avance sur ses concurrents, ce qui a établi le leadership de Micron à la fois en matière de DRAM et de NAND pour la première fois dans l’histoire de l’entreprise.

Au fil des ans, Micron a en outre investi des milliards de dollars dans la transformation de ses usines en installations hautement automatisées, durables et axées sur l’IA, a déclaré la société. Cela comprend des investissements dans l’usine de Micron à Hiroshima, au Japon, qui produira en masse de la DRAM sur 1β.

« Chaque fois que nous semblons penser que nous ne pouvons pas éliminer un autre nœud, nous le réalisons », a déclaré Tran. « C’est vraiment remarquable. Avec chaque nœud avec chaque note de processus, l’industrie des semi-conducteurs réduit les dispositifs chaque année ou deux depuis des décennies. Nos contrôles de processus pour les couches critiques sont littéralement au niveau de l’angström. Et c’est là que nous voulons dire littéralement que chaque angström compte.

Un monde interconnecté et durable

Alors que les cas d’utilisation gourmands en énergie tels que les communications machine à machine, l’intelligence artificielle et l’apprentissage automatique prennent leur envol, les technologies économes en énergie sont un besoin de plus en plus critique pour les entreprises, en particulier celles qui cherchent à atteindre des objectifs de durabilité stricts et à réduire les dépenses d’exploitation, a déclaré Micron.

Les chercheurs ont découvert que la formation d’un seul modèle d’IA peut émettre cinq fois les émissions de carbone à vie d’une voiture américaine, y compris sa fabrication. De plus, les technologies de l’information et de la communication devraient déjà utiliser 20 % de l’électricité mondiale d’ici 2030.

Le nœud DRAM 1β de Micron fournit une base polyvalente pour alimenter les avancées dans un monde connecté qui a besoin d’une mémoire rapide, omniprésente et économe en énergie pour alimenter la numérisation, l’optimisation et l’automatisation. La mémoire haute densité et basse consommation fabriquée sur 1β permet un flux de données plus économe en énergie entre les objets, systèmes et applications intelligents gourmands en données, et plus d’intelligence de la périphérie au cloud.

Au cours de l’année prochaine, la société commencera à développer le reste de son portefeuille sur 1β dans les segments embarqués, des centres de données, des clients, des consommateurs, de l’industrie et de l’automobile, y compris la mémoire graphique, la mémoire à large bande passante et plus encore.

En ce qui concerne les hauts et les bas de la demande de puces, la société vise à avoir une discipline d’approvisionnement lorsqu’il s’agit de faire face aux vents contraires du marché, a déclaré Ross Dermott, vice-président de la gestion de la gamme de produits mobiles de Micron, lors d’un point de presse.

«Nous équilibrons vraiment la montée en puissance des nouveaux nœuds technologiques, comme 1-beta, avec la demande d’approvisionnement et les positions des stocks, pour maintenir la discipline. Et en fin de compte, notre objectif dans ces types d’environnements de marché, et en général, vraiment, est de nous assurer que nous fournissons le meilleur produit possible au marché final et que nous offrons autant de valeur que possible à notre client direct et à la fin client. »

Dans cet environnement, Micron préfère capturer un plus grand pourcentage de bénéfices que d’augmenter sa part de revenus, a déclaré Dermott.