Samsung Electronics s'apprête à dévoiler sa « mémoire de rêve », une DRAM tridimensionnelle (3D), en 2025, marquant une première dans l'industrie des semi-conducteurs. Cette décision est considérée comme le fait que Samsung ravive son « fossé technologique » sur le marché de la mémoire à large bande passante (HBM), où il avait auparavant perdu du terrain face à SK hynix.

Selon des sources industrielles, le 2 avril, Samsung a annoncé la feuille de route de développement de la DRAM 3D lors de la conférence mondiale sur les semi-conducteurs, MEMCON 2024, qui s'est tenue aux États-Unis du 26 au 28 mars. Contrairement à HBM, qui augmente la capacité en empilant plusieurs modules DRAM, la 3D La DRAM empile verticalement les cellules dans un seul module DRAM.

La technologie DRAM actuelle dispose jusqu'à 62 milliards de cellules horizontalement sur un substrat, ce qui rend difficile d'éviter les interférences de courant dues à la densité des transistors. L'empilement vertical des cellules élargit l'écart entre les transistors, réduisant ainsi les interférences et permettant une densité de cellules plus élevée dans la même zone. La capacité de base de la DRAM 3D est de 100 Go (gigabits), soit le triple de celle de la plus grande DRAM actuelle, à 36 Go.

La feuille de route de Samsung indique que d'ici 2025, il prévoit d'introduire une première version de DRAM 3D utilisant la technologie de transistor à canal vertical (VCT). La technologie VCT consiste à aligner verticalement le canal à travers lequel circulent les électrons dans un transistor et à l'entourer d'une grille qui agit comme un interrupteur. Une pile de cellules complète, comprenant des condensateurs, connue sous le nom de « DRAM empilée », devrait être commercialisée vers 2030.

L’avantage de la DRAM 3D réside dans sa capacité à traiter des données de grande capacité dans une zone plus petite par rapport à la DRAM existante. Il est donc très probable qu’il soit d’abord appliqué aux appareils informatiques compacts tels que les smartphones et les ordinateurs portables. À moyen et long terme, son potentiel d’utilisation dans les applications automobiles est important. À mesure que les véhicules autonomes deviennent plus courants, le besoin de DRAM capables de traiter en temps réel de grandes quantités de données collectées sur la route va augmenter. Le marché de la DRAM 3D devrait atteindre 100 milliards de dollars d’ici 2030.

Samsung Electronics a également commencé à réduire la largeur de ligne du circuit du transistor à 8-9 nm d'ici 2027-2028, affectant directement les performances de la DRAM 3D. La dernière largeur de ligne DRAM actuelle est connue pour être d’environ 12 nm.

Les concurrents ont également commencé à développer de la DRAM 3D, mais n'ont pas encore divulgué leur feuille de route. Micron a commencé ses recherches sur la DRAM 3D en 2019 et est connue pour détenir le plus de brevets, plus de trente, parmi les trois sociétés. SK hynix a également dévoilé le concept 3D DRAM lors de diverses conférences.

Les entreprises chinoises accélèrent également le développement de la DRAM 3D. La plus grande société chinoise de mémoire, Changxin Memory Technologies (CXMT), et l'Académie chinoise des sciences ont annoncé les résultats de leurs recherches sur la DRAM 3D depuis l'année dernière.

Le Wall Street Journal (WSJ) a récemment rapporté : « Samsung retrouve sa compétitivité en matière de technologie des semi-conducteurs ». Le jour de l'annonce, le cours de l'action Samsung Electronics a clôturé en hausse de 3,66% à 85 000 wons.

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