Samsung a commencé la production en série de sa NAND verticale de 9e génération (V-NAND) à cellules triples niveaux (TLC) d'un térabit (To). Cela semble viser à renforcer la position de l'entreprise sur le marché du flash NAND, en particulier sur le segment des disques SSD (Solid State Drive) hautes performances.

SungHoi Hur, responsable des produits et technologies Flash chez Samsung's Memory Business, a commenté le lancement : « Avec la première V-NAND de 9e génération du secteur, nous visons à répondre à la demande croissante de solutions SSD hautes performances et haute densité qui sont adapté à l’IA et à d’autres applications futures.

La V-NAND de 9e génération présente la taille de cellule la plus petite et le moule le plus fin de l'industrie, améliorant la densité de bits d'environ 50 % par rapport à la V-NAND de 8e génération. Des innovations telles que les techniques d'évitement des interférences cellulaires et de prolongation de la durée de vie ont été mises en œuvre pour améliorer la qualité et la fiabilité du produit. La suppression des trous de canal factices a également réduit efficacement la surface plane des cellules mémoire.

L'introduction par Samsung de la technologie de « gravure de trous de canal » démontre un raffinement des capacités du processus. Cette technologie implique l'empilement de couches de moules et le perçage simultané du nombre de couches de cellules le plus élevé de l'industrie dans une structure à double pile, ce qui permet d'améliorer les voies électroniques et la productivité de fabrication.

Le nouveau V-NAND intègre également l'interface « Toggle 5.1 », qui permet d'augmenter les vitesses d'entrée/sortie de données de 33 %, atteignant jusqu'à 3,2 gigabits par seconde (Gbps). De plus, Samsung prévoit d'améliorer ses offres SSD en intégrant la prise en charge de PCIe 5.0.

Les efforts visant à améliorer la consommation d'énergie ont abouti à une réduction de 10 % par rapport à la génération précédente, soulignant l'engagement de l'entreprise à réduire la consommation d'énergie et les émissions de carbone. Cela fait du V-NAND de 9e génération une option plus respectueuse de l’environnement pour les futures applications technologiques.

La production en série du V-NAND de 9e génération TLC de 1 To a commencé ce mois-ci, Samsung prévoyant également d'introduire un modèle de cellule à quatre niveaux (QLC) plus tard dans l'année.