TORRANCE, Californie, 31 octobre 2023 (GLOBE NEWSWIRE) — Énergie des semi-conducteurs (Nasdaq : NVTS) a annoncé aujourd’hui une autre victoire GaNFast chez Samsung, cette fois un nouveau chargeur de 25 W pour le smartphone phare Galaxy S23. Le nitrure de gallium (GaN) est une technologie semi-électrique de nouvelle génération qui remplace les anciennes puces de silicium sur les marchés du mobile et du grand public aux centres de données, en passant par l’énergie solaire et les véhicules électriques.

Le Galaxy S23 haut de gamme est doté d’un écran Dynamic AMOLED 2X, 120 Hz avec un contraste maximal de 1 750 nits, s’étendant sur 1 080 x 2 340 pixels sur 90,1 cm.² de verre Corning Gorilla. Avec une puce Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2, jusqu’à 512 Go/8 Go de RAM de stockage et trois caméras jusqu’à 50 MP, le S23 excelle dans les performances de communication mobile.

Pour l’alimentation, le S23 dispose d’une batterie Li-Ion de 3900 mAh et du chargeur GaNFast 25W (modèle EP-T2510) avec interface USB PD 3.0, atteint 50 % de charge en seulement 30 minutes et, en mode veille, ne consomme que 5 mW d’énergie. La spécification PD 3.0 signifie que le nouveau chargeur peut alimenter une gamme d’appareils allant du Galaxy Buds2 audio au Galaxy Z Fold5, au Galaxy Flip et au Galaxy A23.

La technologie GaNFast de Navitas est utilisée dans une topologie haute fréquence quasi-résonante (HFQR) fonctionnant à 150 kHz. Les performances haute fréquence de pointe de GaNFast réduisent le chargeur de plus de 30 %, et l’appareil Navitas est pleinement qualifié pour répondre aux exigences de qualification strictes de Samsung, avec d’excellentes performances de livraison, qualité et fiabilité.

« En tant que pionnier de la recharge rapide mobile, Navitas continue de dominer le marché de la nouvelle génération, avec les 10 des 10 principaux constructeurs OEM de téléphones mobiles en production avec des produits GaNFast », a déclaré David Carroll, vice-président principal des ventes mondiales. « De 25 W à 20 MW, notre gamme croissante de produits GaN et SiC de pointe couvre tout, des applications mobiles et grand public aux véhicules électriques, en passant par les applications solaires et industrielles. »

À propos de Navitas

Énergie des semi-conducteurs (Nasdaq : NVTS) est la seule entreprise spécialisée dans les semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération, fondée en 2014. CI de puissance GaNFast™ intègrent une alimentation et un entraînement en nitrure de gallium (GaN), avec contrôle, détection et protection pour permettre une charge plus rapide, une densité de puissance plus élevée et de plus grandes économies d’énergie. Complémentaire La puissance du GeneSiC™ Les dispositifs sont des solutions optimisées en carbure de silicium (SiC) haute puissance, haute tension et haute fiabilité. Les marchés cibles comprennent les véhicules électriques, l’énergie solaire, le stockage d’énergie, l’électroménager/industriel, les centres de données, le mobile et le grand public. Plus de 185 brevets Navitas sont délivrés ou en attente. Plus de 100 millions d’unités GaN et 12 millions d’unités SiC ont été expédiées, et avec le premier et le seul du secteur Garantie GaNFast de 20 ans. Navitas a été la première entreprise de semi-conducteurs au monde à être Certifié CarbonNeutral®.

Navitas Semiconductor, GaNFast, GeneSiC et le logo Navitas sont des marques commerciales ou des marques déposées de Navitas Semiconductor Limited et de ses sociétés affiliées. Toutes les autres marques, noms de produits et marques sont ou peuvent être des marques commerciales ou des marques déposées utilisées pour identifier les produits ou services de leurs propriétaires respectifs.

Coordonnées Stephen Oliver, vice-président du marketing d’entreprise et des relations avec les investisseurs ir@navitassemi.com

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