13 novembre 2023

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Ce sont les petites choses de la vie, non ? Dans le cas du nouveau refroidissement supérieur de NXP pour la puissance RF, c’est exactement cela.

La société a récemment annoncé une famille de modules amplificateurs RF refroidis par le haut, basés sur une technique de conditionnement qui permet des radios plus fines et plus légères pour l’infrastructure 5G. Le résultat est des stations de base plus petites qui peuvent être installées plus facilement et de manière plus rentable, et même intégrées plus discrètement dans leur environnement.

Lorsque nous avons discuté de ces stations de base plus légères, cela ne m’a pas vraiment frappé jusqu’à ce que je voie la limitation réelle et pratique d’une personne devant transporter un de ces boîtiers sur un poteau et l’installer. Il y a environ dix ans, nous pesions environ 60 kg (132 lb) pour une radio typique. Aujourd’hui, grâce à des innovations comme les NXP, ce poids peut être réduit à moins de 20 kg. C’est toute une différence.

La série de modules multipuces GaN de NXP, combinée à ce que la société appelle la première solution de refroidissement supérieure du secteur pour l’alimentation RF, contribue à réduire non seulement l’épaisseur et le poids de la radio de plus de 20 %, mais également l’empreinte carbone. pour la fabrication et le déploiement de stations de base 5G.

Les dispositifs refroidis sur le dessus offrent des avantages significatifs en matière de conception et de fabrication, notamment la suppression du blindage RF dédié, l’utilisation d’un circuit imprimé rentable et rationalisé et la séparation de la gestion thermique de la conception RF. Ces fonctionnalités aident les fournisseurs de solutions réseau à créer des radios 5G plus fines et plus légères pour les opérateurs de réseaux mobiles, tout en réduisant leur cycle de conception global.

La première série de modules d’alimentation RF refroidis par le dessus de NXP est conçue pour les radios 32T32R de 200 W couvrant 3,3 à 3,8 GHz. Les dispositifs combinent les technologies internes de semi-conducteurs LDMOS et GaN de la société pour permettre un gain et une efficacité élevés avec des performances à large bande, offrant un gain de 31 dB et une efficacité de 46 % sur 400 MHz de bande passante instantanée.

Le A5M34TG140-TC, A5M35TG140-TCet A5M36TG140-TC les produits sont disponibles aujourd’hui. L’A5M36TG140-TC sera pris en charge par Série de cartes de référence RapidRF de NXP.

Les principales responsabilités de Richard Nass incluent la définition de l’orientation de tous les aspects du portefeuille DPE d’OSM, y compris les événements numériques, imprimés et en direct. Auparavant, Nass était directeur de marque pour Design News. Auparavant, il dirigeait l’équipe de contenu du groupe des dispositifs médicaux d’UBM, ainsi que toutes les propriétés et événements personnalisés. Nass travaille dans le secteur de l’ingénierie OEM depuis plus de 30 ans. Lors de mandats antérieurs, il a dirigé l’équipe de contenu chez EE Times, Embedded.com et TechOnLine. Nass est titulaire d’un diplôme BSEE du NJIT.

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