Dublin, 26 septembre 2023 (GLOBE NEWSWIRE) — Le « Marché mondial de la mémoire flash NAND par type (MLC (deux bits par cellule), QLC (cellule à quatre niveaux), SLC (un bit par cellule)), structure (structure 2D, structure 3D), application – Impact cumulatif du COVID-19, du conflit Russie-Ukraine et d’une inflation élevée – Prévisions 2023-2030 » le rapport a été ajouté à ResearchAndMarkets.com offre.

Le marché mondial de la mémoire flash NAND devrait connaître une croissance substantielle, avec un taux de croissance annuel composé (TCAC) important prévu pour la période à venir. La dynamique du marché est influencée par divers facteurs, notamment l’adoption croissante des PC et des smartphones, les progrès des équipements et capteurs industriels, ainsi que le développement des systèmes automobiles.

Conducteurs

• Adoption croissante des PC et des smartphones : L’adoption croissante des ordinateurs personnels et des smartphones est un moteur clé du marché de la mémoire flash NAND. Ces appareils s’appuient sur la mémoire flash NAND pour le stockage et la récupération des données, et à mesure que leur popularité augmente, la demande de mémoire flash NAND augmente également.
• Développements dans les équipements industriels et les capteurs : Le secteur industriel connaît des évolutions importantes en matière d’équipements et de capteurs, dont beaucoup nécessitent une mémoire flash NAND pour le stockage et le traitement des données. Cette tendance stimule la demande de mémoire flash NAND dans les applications industrielles.
• Faire progresser les systèmes automobiles : L’industrie automobile évolue rapidement avec l’intégration de systèmes avancés, notamment des systèmes d’infodivertissement, de navigation et d’aide à la conduite. Ces systèmes s’appuient sur la mémoire flash NAND pour le stockage, contribuant ainsi à la croissance du marché.

Contraintes

• Vitesse de lecture aléatoire NAND plus lente que NOR Flash : L’une des limites de la mémoire flash NAND est sa vitesse de lecture aléatoire plus lente que celle de la mémoire flash NOR. Cela peut poser des défis dans les applications où un accès rapide aux données est crucial.

Opportunités

• Investissement et avènement de dispositifs médicaux innovants : Le secteur de la santé connaît une augmentation des investissements dans des dispositifs médicaux innovants qui utilisent la mémoire flash NAND pour le stockage des données. Cela présente des opportunités de croissance pour le marché.
• Besoin émergent d’un traitement massif de données pour les applications d’IA et de ML : La demande croissante de traitement massif de données dans les applications d’intelligence artificielle (IA) et d’apprentissage automatique (ML) nécessite des solutions de stockage telles que la mémoire flash NAND, ouvrant ainsi de nouvelles voies d’expansion du marché.

Défis

• Problèmes de cache complet de cellules à un seul niveau (SLC) : Les problèmes de cache SLC complet peuvent limiter les performances de la mémoire flash NAND dans certaines applications, posant ainsi des défis à la croissance du marché.
• Nombre restreint d’avions : La mémoire flash NAND peut être confrontée à des limitations en raison du nombre restreint de plans disponibles, affectant ses performances dans des applications complexes.

Acteurs clés du marché

Plusieurs entreprises de premier plan opèrent sur le marché mondial de la mémoire flash NAND, notamment :

• Adata Technology Co., Ltd.
• Groupe ATP par Arsenal
• Everspin Technologies Inc.
• Fujitsu Limitée
• Société intel
• Société internationale des machines de bureau
• Kingston Technology Europe Co. LLP
• Société Kioxia
• Groupe Lenovo Limité
• Micron Technologie Inc.
• Société Renesas Electronique
• Samsung Electronics Co. Ltd.
• SK hynix Co., Ltd.
• Société Toshiba
• Technologies numériques occidentales inc.

Segmentation et couverture du marché

Le marché mondial de la mémoire flash NAND est segmenté en fonction de divers facteurs, notamment le type, la structure, l’application et la région :

Taper:

• MLC (deux bits par cellule)
• QLC (cellule à quatre niveaux)
• SLC (un bit par cellule)
• TLC (trois bits par cellule)

Structure:

• Structure 2D
• Structure 3D

Application:

• Carte mémoire
• Téléphone intelligent
• SSD (disque SSD)
• Comprimés

Région:

• Amériques
  • Argentine, Brésil, Canada, Mexique, États-Unis (y compris certains États)
• Asie-Pacifique
  • Australie, Chine, Inde, Indonésie, Japon, Malaisie, Philippines, Singapour, Corée du Sud, Taïwan, Thaïlande, Vietnam
• Europe, Moyen-Orient et Afrique
  • Divers pays d’Europe, du Moyen-Orient et d’Afrique

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