Samsung Electronics fait des progrès significatifs dans le développement et la commercialisation de sa prochaine mémoire HBM3e de cinquième génération, baptisée « Shinebolt ». La société aurait envoyé des prototypes HBM3e à des clients sélectionnés pour des tests d’approbation de qualité. Ces prototypes comportent des puces de 24 gigabits (Go) disposées en 8 couches, mais Samsung prévoit de lancer un produit HBM3e de 36 Go plus avancé avec 12 couches.

La mémoire HBM3e « Shinebolt » offre une augmentation impressionnante de 50 % des performances par rapport à son prédécesseur, HBM3, et offre une bande passante mémoire massive de 1,228 To/s (12 280 Mo/s). Face à la demande croissante d’applications d’intelligence artificielle (IA) nécessitant des GPU hautes performances, la nouvelle mémoire HBM3e de Samsung offre une capacité et une bande passante accrues, répondant ainsi au besoin d’une VRAM plus rapide.

Samsung utilise la méthode du film non conducteur à compression thermique (TC-NCF) depuis les débuts de la production de HBM. En revanche, son concurrent, SK hynix, a adopté le procédé avancé de sous-remplissage moulé par refusion (MR-MUF) pour sa mémoire HBM3. Dans le but de rivaliser avec les avancées de SK hynix, Samsung a repensé sa stratégie et s’est davantage concentré sur son activité HBM. L’entreprise développe actuellement activement un procédé innovant de « connexion mixte » pour HBM, qui pourrait potentiellement révolutionner l’industrie.

Alors que la demande de GPU IA continue d’augmenter, en particulier avec les GPU IA de NVIDIA confrontés à des ruptures de stock jusqu’en 2024, la VRAM haute vitesse devient de plus en plus essentielle. Samsung comprend cette demande et vise à répondre aux exigences strictes de NVIDIA pour ses GPU AI haut de gamme et coûteux. Lee Jung-bae, président de l’activité mémoire de Samsung Electronics, a souligné l’engagement de l’entreprise envers la production HBM3 et le développement harmonieux de la mémoire HBM3e de nouvelle génération.

En conclusion, la mémoire HBM3e « Shinebolt » de Samsung représente une avancée significative dans la technologie de mémoire à large bande passante. Avec ses performances, sa capacité et sa bande passante améliorées, Samsung vise à rivaliser avec SK hynix et à répondre aux exigences exigeantes des applications d’IA et des GPU avancés.

Sources: – Affaires Corée – Salle de presse de Samsung Electronics